可控矽質量的判斷方法

可控矽是裝置電路中最基本•✘、最重要的元件✘◕✘。可控矽通常被稱之為功率半導體模組(semiconductor module)✘◕✘。最早是在1970年由西門康公司率先將模組原理引入電力電子技術領域₪☁✘₪₪，是採用模組封裝形式₪☁✘₪₪，具有三個PN接面的四層結構的大功率半導體器件✘◕✘。防反二極體繼電器100%負載電流老化試驗₪☁✘₪₪，透過歐共體CE認證₪☁✘₪₪，國際ISO9000認證₪☁✘₪₪，國內3C認證✘◕✘。整流橋將整流管封在一個殼內了✘◕✘。分全橋和半橋✘◕✘。全橋是將連線好的橋式整流電路的四個二極體封在一起✘◕✘。半橋是將四個二極體橋式整流的一半封在一起₪☁✘₪₪，用兩個半橋可組成一個橋式整流電路₪☁✘₪₪，一個半橋也可以組成變壓器帶中心抽頭的全波整流電路₪☁✘₪₪， 選擇整流橋要考慮整流電路和工作電壓✘◕✘。閘流體的質量決定了裝置的執行質量和安全性✘◕✘。在這方面₪☁✘₪₪，在購買和使用可控矽元件之前₪☁✘₪₪，應對可控矽元件的質量進行檢測和判斷✘◕✘。判斷可控矽元件質量的方法有很多₪☁✘₪₪，以下是四種常用的方法來解釋:

判斷自己一個可控矽元件之間是否可以完好₪☁✘₪₪，工程師需要從以下四個發展方面問題進行分析檢查₪☁✘₪₪，首先是作為判斷該元件的三個PN接面應完好₪☁✘₪₪，其次是當陰極與陽極間電壓反向連線時能夠有效阻斷不導通₪☁✘₪₪，第三是當控制極開路時₪☁✘₪₪，陽極與陰極間的電壓正向影響連線時也不導通₪☁✘₪₪，第四是給控制極加上中國正向工作電流₪☁✘₪₪，給陰極與陽極加正向電壓時₪☁✘₪₪，可控矽應當導通₪☁✘₪₪，把控制極電流去掉後仍處於導通狀態✘◕✘。滿足學生以上研究四個經濟條件的可控矽元件₪☁✘₪₪，才是企業符合教學設計過程中使用技術要求的✘◕✘。

要了解可控矽元件是否滿足上述要求₪☁✘₪₪，其實非常簡單₪☁✘₪₪，只需要用萬用表來測量可控矽的極間電阻₪☁✘₪₪，就可以判斷前三個方面的質量✘◕✘。具體操作方法為▩✘·•·：使用R1k或R10k測量陰極與陽極之間的正向電阻和反向電阻（控制極不連線到電壓）₪☁✘₪₪，這兩個電阻值應該很大✘◕✘。電阻值越大₪☁✘₪₪，正•✘、負漏電流越小✘◕✘。如果測量的電阻很低或接近無窮大₪☁✘₪₪，可控矽已經短路或開路₪☁✘₪₪，並且可控矽不能使用✘◕✘。

接下來₪☁✘₪₪，需要檢測柵極和陰極之間的PN接面是否損壞✘◕✘。 我們可以用萬用表的R~1k或R~10k來測量陽極與控制電極之間的電阻₪☁✘₪₪，正向和反向測量的電阻應大於幾百千歐₪☁✘₪₪，如果電阻很小₪☁✘₪₪，閘流體就會擊穿✘◕✘。 用R1k或R100測量控制電極和陰極之間PN接面的正向和反向電阻約為數千歐姆✘◕✘。如果正向電阻接近零或無窮大₪☁✘₪₪，則控制電極和陰極之間的PN接面被損壞✘◕✘。 反向阻力應該很大₪☁✘₪₪，但不是無限的✘◕✘。 通常₪☁✘₪₪，反向阻力明顯大於正向阻力✘◕✘。

如果要確定閘流體是否因故障而損壞₪☁✘₪₪，工程師可以使用萬用表電阻 r × 1塊₪☁✘₪₪，然後用黑筆到陽極₪☁✘₪₪，紅筆到陰極₪☁✘₪₪，此時萬用表指標不應移動✘◕✘。當紅色表連線到陰極₪☁✘₪₪，黑色表連線到控制電極時₪☁✘₪₪，萬用表的電阻指標應偏向右側₪☁✘₪₪，電阻讀數約為10歐姆✘◕✘。如果陽極到黑色表筆₪☁✘₪₪，陰極到紅色表筆₪☁✘₪₪，萬用表指標偏轉₪☁✘₪₪，表明單向可控矽有擊穿損壞✘◕✘。